| 专利名称 | 一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法 | 申请号 | CN201310616201.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103646974A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邢宇鹏;韩培德;王帅;梁鹏 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法 至一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高倍聚光硅太阳电池，其包括：钝化减反膜；第一掺杂层，其制作在钝化减反膜下表面的中间部位；顶层硅，其制作在第一掺杂层的下表面；第二掺杂层，其制作在顶层硅的一侧面，其端部覆盖第一掺杂层一端的下表面；第三掺杂层，其制作在顶层硅的另一侧面，其端部覆盖第一掺杂层的另一端的下表面；埋氧层，其制作在顶层硅的下表面，其长度大于顶层硅，且覆盖第二掺杂层的另一端和第三掺杂层的另一端；第一电极，其制作在第二掺杂层的表面；第二电极，其制作在第三掺杂层的表面；导热层9，其制作在埋氧层的下表面及两端部，并覆盖第一电极和第二电极的端部。 |
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