| 专利名称 | 一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法 | 申请号 | CN201310724004.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103646853A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;狄增峰;叶林;王刚;郭庆磊;母志强 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法 至一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种绝缘体上含锗薄膜结构的制备方法，包括以下步骤：S1：提供一sSOI衬底，在张应变顶层硅表面外延生长一预设Ge组分的单晶SiGe薄膜；所述张应变顶层硅的晶格长度与所述单晶SiGe薄膜的晶格长度相等；S2：在所述单晶SiGe薄膜表面形成一Si帽层；S3：将步骤S2获得的结构进行锗浓缩，形成自下而上依次包含有背衬底、埋氧层、含锗薄膜及SiO2层的叠层结构；S4：腐蚀掉所述叠层结构表面的SiO2层以得到绝缘体上含锗薄膜结构。本发明通过选择合适张应变顶层硅及相应含锗组分的单晶SiGe薄膜，使得张应变顶层硅与其上的单晶SiGe薄膜的晶格匹配，从而降低缺陷来源，能够获得高质量的SGOI或GOI材料。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障