| 专利名称 | 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 | 申请号 | CN201310712946.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103647012A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 梁萌;杨华;刘志强;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/48(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/48(2010.01)I;H01L21/683(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 至一种用于LED的晶圆级封装的芯片转移方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于LED的晶圆级封装的芯片制造方法，包括以下步骤：在LED外延片上制作LED单元器件阵列，在该单元器件阵列的部分单元器件上制作金属，作为键合时的金属中间层，构成待键合单元器件阵列；同时，在一基板的正面制作金属图案，该金属图案与待键合单元器件阵列的电极相对应，在该金属图案下面存在导热、导电通道，通过该导电通道，LED单元器件的电极与基板背面的金属焊盘相连；然后通过键合的方式，把待键合单元器件阵列倒装在基板上；最后，采用激光剥离的方式，对上述待键合单元器件依次进行剥离，使得待键合单元器件的外延层与衬底分离，该分离后的外延层与基板形成完整的薄膜LED阵列。本发明所述的芯片转移方法，可用于LED器件的晶圆级封装，提高封装效率和降低成本。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障