| 专利名称 | 一种异步SRAM的I/O接口电路 | 申请号 | CN201310642655.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103646665A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘鑫;赵发展;刘梦新;韩郑生 | 主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C11/4063(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I;G11C7/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种异步SRAM的I/O接口电路 至一种异步SRAM的I/O接口电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种异步SRAM的I/O接口电路，属于SRAM的数据读写技术领域。所述接口电路包括读取电路和写入电路；读取电路的输出端与写入电路的输入端连接；读取电路连接使能信号、数据信号和读取信号；写入电路连接写入信号。本发明的异步SRAM的I/O接口电路，通过使用使能信号和读取信号控制输出数据的操作，使用写入信号控制数据的写入操作，方便快速地实现了数据的读出或写入操作；通过在读取电路中引入正反馈，增强了电平信号的准确性；不存在电源VDD到地GND的通路，大大地降低了读出电路的功耗；通过使用读取信号控制晶体管的开启，加快了电路的响应速度。 |
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