| 专利名称 | 一种改善用于Al2O3介质上的光刻工艺的方法 | 申请号 | CN201310681200.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103645614A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张凯平;刘明;谢常青;龙世兵;陆丛研;胡媛;刘宇;赵盛杰 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善用于Al2O3介质上的光刻工艺的方法 至一种改善用于Al2O3介质上的光刻工艺的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，该方法包括：在含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液中，加入体积百分比为0.6％至1.4％的硅的浓缩液和体积百分比为0.1％至0.3％的过硫化铵(NH4)2S2O8溶液对显影液进行改进；利用上述改进后的显影液对在Al2O3介质上的曝光后的光刻胶进行显影。利用本发明，光刻过程中Al2O3介质层随着显影时间的变化厚度不变、表面保持光滑，并且该方法稳定性好、重复率高。 |
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