| 专利名称 | 一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用 | 申请号 | CN201310728244.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103643293A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 熊巍;周尧;袁晖 | 主分类号 | C30B29/34(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/34(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用 至一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅酸铋闪烁晶体及其制备方法和应用。所述硅酸铋闪烁晶体中掺杂有Y3+，是采用BSO籽晶，在空气氛下用坩埚下降法进行晶体生长而得。研究表明：由于Y3+离子的掺入，在一定程度上减少了异相硅铋化合物和相应宏观缺陷的形成，使所得BSO晶体在可见光波段的透过性能有所提高，尤其对大尺寸BSO晶体闪烁性能的提高具有显著性，进行Y3+掺杂后的硅酸铋闪烁晶体可应用于制备核物理及高能物理探测材料。 |
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