| 专利名称 | μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 | 申请号 | CN201310582505.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103645200A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 殷绍唐;张德明;张庆礼;孙敦陆;张季;王迪;刘文鹏;孙贵花 | 主分类号 | G01N23/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N23/20(2006.01)I;C30B28/04(2006.01)I;C30B9/00(2006.01)I | 专利有效期 | μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 至μ-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长微观结构的方法和微型晶体生长炉 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了?-XAFS技术原位实时测量熔融法晶体生长微观结构的方法，本方法基于?-XAFS技术分别原位实时测量熔融法晶体生长时不同区域（晶体、边界层、熔体）的特征元素的配位状态及其演变规律，从而获得熔融法晶体生长时从熔体到晶体微观结构的变化规律；本发明还提供了?-XAFS技术原位测量熔融法晶体生长配位结构的微型晶体生长炉，通过该微型晶体生长炉能实现对晶体生长时晶体、边界层和熔体中的特定元素的配位数进行原位、实时观测。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障