| 专利名称 | 一种测量LED内量子效率的方法 | 申请号 | CN201310616446.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103645033A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 魏学成;赵丽霞;张连;于治国;王军喜;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | G01M11/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01M11/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量LED内量子效率的方法 至一种测量LED内量子效率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用变激光激发密度荧光光谱测试LED内量子效率的方法，制作测试样品，所述测试样品具有量子阱结构，从下至少依次包括衬底、低温成核层、低温缓冲层、n型层、有源区和p型层；将LED样品装入光谱仪的样品室内，在激光器到样品的光路上放置圆衰减片，通过调节衰减片位置，实现激光功率的连续可调；然后放置一分光光路，其分光比例一定，通过分支光路的实时测量来获取测试光路的激光功率，并测量测试光路的光斑大小来获得激光激发密度；通过改变激光圆衰减片位置，测量不同的激光功率并计算相应的激光激发密度，然后通过探测器获得相应的荧光光谱；计算并列表激光激发密度和对应的荧光光谱积分强度；根据速率方程和内量子效率定义，拟合得出内量子效率。 |
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