| 专利名称 | 埋入式薄膜电阻材料及其制备方法 | 申请号 | CN201310566007.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103643085A | 公开（授权）日 | 2014.03.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 孙蓉;赖莉飞;符显珠 | 主分类号 | C22C19/05(2006.01)I | IPC主分类号 | C22C19/05(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I;H01C7/00(2006.01)I;H01C17/12(2006.01)I | 专利有效期 | 埋入式薄膜电阻材料及其制备方法 至埋入式薄膜电阻材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种埋入式薄膜电阻材料及其制备方法。该埋入式薄膜电阻材料按原子百分比计，包括镍50～76%、铬10～18%、碳10～30%和钨0.5～5%。通过磁控溅射技术把镍、铬、碳和钨原子沉积于铜箔衬底上得到镍铬碳钨薄膜，经实验表明，使用该镍铬碳钨薄膜的埋入式薄膜电阻器件的电性能较稳定，方阻值较高。 |
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