| 专利名称 | 一种改善热分布集中的超大功率光电器件 | 申请号 | CN201320343583.9 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203481249U | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 王玮;蔡勇;张宝顺 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 一种改善热分布集中的超大功率光电器件 至一种改善热分布集中的超大功率光电器件 | 法律状态 | 说明书摘要 | 一种改善热分布集中的超大功率光电器件，包括光电器件芯片，芯片的外延层包括彼此隔离的多个单胞，该等单胞相互串联或并联，且该等单胞中的至少两个单胞相互并联形成至少一个单胞组，该至少一个单胞组还与该等单胞中其余的一个以上单胞和/或一个以上单胞组串联，且每一单胞组内的所有单胞均排布在一个矩形区域内，该区域相对较短边与相对较长边的比值＞0.5，但≤1。本实用新型通过采用多胞设计，并将其中若干单胞并联形成单胞组，且使各单胞组内的单胞排布在长宽比约为1的矩形内，进而使节温较高的单胞可向周围单胞传导热，使相邻单胞节温保持一致，避免节温较高的单胞成为热斑和热崩，从而有效提升大功率光电器件的工作性能，并延长其使用寿命。 |
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