| 专利名称 | 一种半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210303691.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633016A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体结构及其制造方法 至一种半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体结构的制造方法，包括：a)在衬底上形成金属互连线；b)形成覆盖所述金属互连线的掩膜层，在所述掩膜层上形成暴露所述金属互连线的开口；c)通过所述开口刻蚀并断开所述金属互连线，实现金属互连线的绝缘隔离。本发明还提供一种半导体结构，包括衬底以及在衬底中形成的金属互联线，其中：金属互联线端点之间被形成在衬底中的绝缘墙所断开。本发明的结构和方法利于减小相邻金属互连线端点到端点的间距，节省器件面积，以及解决金属互连线之间可能存在的短路问题。 |
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