| 专利名称 | 基于高阻材料的电场传感器封装元件 | 申请号 | CN201310340888.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633036A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 夏善红;闻小龙;陈贤祥;彭春荣;杨鹏飞;方东明 | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/29(2006.01)I | 专利有效期 | 基于高阻材料的电场传感器封装元件 至基于高阻材料的电场传感器封装元件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种基于高阻材料的电场传感器封装元件，包括：基板；第一封装框，固定于所述基板；第一封装盖，固定于所述封装框；至少一个电场传感器芯片位于所述基板、第一封装框和第一封装盖形成的内腔内；其中，所述基板、第一封装框第一封装盖中的至少一种是电阻率大于或等于108Ω·cm的高阻值材料。本发明可以保证电场准确测量，并为环境适应性这一关键问题的解决提供了一种重要的途径，提高了电场探测的稳定性和可靠性。 |
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