| 专利名称 | 一种纳米线衬底结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310670650.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633123A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 孙兵;刘洪刚;赵威;王盛凯;常虎东 | 主分类号 | H01L29/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/20(2006.01)I;H01L29/205(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B82Y10/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种纳米线衬底结构及其制备方法 至一种纳米线衬底结构及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种纳米线衬底结构及其制备方法，该纳米线衬底结构包括：单晶衬底；形成于单晶衬底上的缓冲层；形成于缓冲层上的牺牲层；以及形成于牺牲层上的纳米线结构层。本发明是在磷化铟和砷化镓衬底上形成铟镓砷纳米线结构，为铟镓砷沟道纳米线环栅MOSFET提供基础，可应用于CMOS集成技术中，采用铟镓砷来替代硅作为沟道材料有利于提高NMOSFET的电学特性，而纳米线环栅场效应晶体管结构的栅控能力强，可以有效抑制MOSFET的短沟效应，提高器件电学特性。 |
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