| 专利名称 | 半导体结构及其制造方法 | 申请号 | CN201210310953.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633029A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;杨达;赵超 | 主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L27/11(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体结构及其制造方法 至半导体结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：一种半导体结构的制造方法，包括：a）在衬底上形成在一方向上延伸的栅极线；b）形成覆盖半导体结构的光刻胶层，对该光刻胶层构图形成跨所述栅极线的开口；c）通过所述开口将离子注入所述栅极线中，使所述栅极线在开口处绝缘。本发明在形成电隔离的栅极时，保留了完整的栅极线，在接下来形成介质层的过程中不会导致现有技术中的缺陷，保证了半导体器件的质量。此外本发明还提供了一种根据本发明提供的方法形成的半导体结构。 |
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