| 专利名称 | 一种纠错SRAM的回写方法 | 申请号 | CN201310643265.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103631669A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘鑫;赵发展;韩郑生 | 主分类号 | G06F11/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F11/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种纠错SRAM的回写方法 至一种纠错SRAM的回写方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明要解决的技术问题是提供一种纠错SRAM的回写方法。通过冗余校验位产生纠错控制信号，并由该纠错控制信号控制产生回写写入信号以及回写地址信号，确保了地址信号的不变，并及时将存储在n位存储单元的数据写入SRAM，完成回写功能，确保了数据不被损坏且按照原地址进行了回写，保证了原有数据在被读取后不受损坏，并避免了累计错误。 |
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