| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201210304241.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103632973A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;赵超;梁擎擎 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件及其制造方法 至半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供SOI衬底，所述SOI衬底包括基底层、位于所述基底层之上的绝缘层、以及位于所述绝缘层之上的器件层；在所述SOI衬底上形成栅堆叠；以所述栅堆叠为掩模，刻蚀所述SOI衬底的器件层、绝缘层以及部分基底层，在所述栅堆叠两侧形成凹陷；在所述凹陷内形成晶体介电层，所述晶体介电层的上表面低于所述绝缘层的上表面且不低于所述绝缘层的下表面；在所述晶体介电层之上形成源/漏区。本发明还提供一种半导体器件。本发明在消除了源/漏区与SOI衬底之间的漏电流路径的同时，也可以降低源/漏区的接触电阻。 |
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