| 专利名称 | 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 | 申请号 | CN201310652143.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633559A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王涛;刘俊岐;刘峰奇;张锦川;王利军;王占国 | 主分类号 | H01S5/183(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/183(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I | 专利有效期 | 高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 至高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种高功率低发散角的半导体太赫兹垂直面发射激光器，包括：一高掺杂的接收衬底；一下金属波导光限制层，该下金属波导光限制层是由金属热键合形成，并位于接收衬底上；一下接触层，位于下金属波导光限制层上；一有源层，该有源层生长在下接触层上；一上接触层，该上接触层生长在该有源层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；一上金属层，该上金属层由电子束蒸发于上接触层上，并被制作成准周期等比数列同心圆光栅结构；其中，下金属层和下接触层构成下等离子体波导，上金属层和上接触层构成上等离子体波导，上下等离子体波导构成双面金属波导结构；所述下接触层、有源层、上接触层和上金属层被制作成环形结构，环形的有源层形成了环形谐振腔。 |
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