| 专利名称 | 一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法 | 申请号 | CN201210311109.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633242A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕杭炳;刘明;刘琦;李颖弢;龙世兵 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法 至一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有自整流特性的阻变存储器及其制备方法，属于微电子制造及存储器技术领域。所述自整流特性阻变存储器包括上电极、下电极、阻变材料层以及非晶硅层，具有双极型转变特性，同时在低阻态呈现出正负不对称的整流特性。本发明基于自整流特性阻变存储器作为存储单元，可以不依赖选通晶体管以及二极管，依靠其自身的整流特性实现自我选择功能，结构简单、易集成、密度高、成本低，能够抑制交叉阵列结构中的读串扰现象。本发明基于阻变存储器的一次编程存储器能够采用交叉阵列结构集成，制备温度低，可以实现高密度的三维堆叠结构。 |
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