| 专利名称 | 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 | 申请号 | CN201310651999.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633199A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨少延;张恒;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 至利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用蓝宝石衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管的方法，包含：在蓝宝石衬底表面上先制备一包含铟组分的薄III族氮化物合金层和一低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将蓝宝石硅衬底加热温度升高；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，形成的多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；在氮化镓基发光二极管器件结构层上制备一反射/欧姆金属层；再键合一键合衬底；将蓝宝石衬底沿多孔薄III族氮化物弱键合层处剥离去除；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；将上述材料切割、分选和封装后得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。 |
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