| 专利名称 | 一种电阻型存储器的制备方法 | 申请号 | CN201210311116.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633243A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吕杭炳;刘明;刘琦;李颖弢;龙世兵 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电阻型存储器的制备方法 至一种电阻型存储器的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电阻型存储器的制备方法，包括：对开孔而暴露的下电极进行高温退火，使其表面析出纳米颗粒；在孔洞中下电极上方形成阻变存储介质层和上电极；以及图形化上电极和阻变材料层。本发明提供的这种电阻型存储器的制备方法，通过在Cu下电极表面形成突触颗粒，由于存在局部电场增强效应，在存储介质中发生电阻转变时，导电通道会优先在突触颗粒上方形成，有效的消除器件的激活电压、提高器件产率、减小器件参数的离散性。采用该方法制备的CuxO基电阻型存储器具有制作成本低、效果好、易与CMOS工艺集成的优点。 |
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