| 专利名称 | 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 | 申请号 | CN201310652125.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633200A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨少延;冯玉霞;魏鸿源;焦春美;赵桂娟;汪连山;刘祥林;王占国 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 至利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种利用硅衬底制备垂直结构氮化镓基发光二极管器件的方法，包含：在硅衬底表面上先制备一阻挡层及包含铟组分的薄III族氮化物合金层和低温薄氮化镓层的应力调控结构层；将硅衬底加热，将包含有铟组分的薄III族氮化物合金层中的铟组分加热分解和完全析出，变成高温薄氮化镓单晶模板层；制备一氮化镓基发光二极管器件结构层；降温，在多孔薄III族氮化物弱键合层处自分离；制备一反射／欧姆金属层；键合一键合衬底；利用机械力，剥离；制备第一欧姆电极层；制备第二欧姆电极层；切割、分选和封装后，制备得到垂直结构氮化镓基发光二极管器件。 |
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