| 专利名称 | 栅电极的形成方法 | 申请号 | CN201210309498.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103632944A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 栅电极的形成方法 至栅电极的形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种栅电极的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上覆盖有栅电极材料层；在所述衬底上形成相互平行的连续的栅条；环绕所述相互平行的连续的栅条形成侧墙；在第一预定区域电隔离所述相互平行的连续的栅条，形成隔离的栅电极。根据本发明实施例，有源区硅之间的最小距离进一步减小，集成度进一步增加，相对于传统的线条-刻线（line-and-cut）的双图案化技术，本发明提供的栅电极形成方法改善了栅电极端对端（tip?to?tip）间距。 |
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