| 专利名称 | 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法 | 申请号 | CN201210310581.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633010A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;狄增峰;薛忠营;卞剑涛;王刚 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 专利有效期 | 利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法 至利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用掺杂超薄层吸附制备超薄绝缘体上材料的方法。该方法首先在第一衬底上依次外延生长超薄掺杂单晶薄膜和超薄顶层薄膜，并通过离子注入和键合工艺，制备出高质量的超薄绝缘体上材料。所制备的超薄绝缘体上材料的厚度范围为5~50nm。本发明利用超薄掺杂单晶薄膜对其下注入离子的吸附作用，形成微裂纹以致剥离，剥离后绝缘体上材料表面粗糙度小。此外，杂质原子增强了超薄单晶薄膜对离子的吸附能力，得以降低制备过程中的离子注入剂量和退火温度，有效减轻了顶层薄膜中注入的损伤，达到了提高生产效率和降低生产成本的目的。 |
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