| 专利名称 | 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法 | 申请号 | CN201210310702.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103632930A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;陈达;薛忠营;卞剑涛;母志强;狄增峰 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I | 专利有效期 | 利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法 至利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种利用超薄层吸附制备绝缘体上超薄改性材料的方法，该方法首先在第一衬底上依次外延生长第一单晶薄膜、第一缓冲层、第二单晶薄膜、第二缓冲层以及顶层薄膜，再通过两次离子注入以及键合工艺，最终得到绝缘体上超薄改性材料。所制备的超薄改性材料的厚度范围为5~50nm。本发明通过在不同层的两次离子注入将材料改性和剥离两个过程分开进行，且剥离发生在超薄层，裂纹较小，剥离过程中对顶层薄膜的质量影响较小，可以制备出高质量的绝缘体上超薄改性材料。 |
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