| 专利名称 | 浅沟槽隔离及其制造方法 | 申请号 | CN201210307008.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103633009A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;梁擎擎;罗军;赵超 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 浅沟槽隔离及其制造方法 至浅沟槽隔离及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种STI结构，包括衬底以及衬底中的隔离氧化物,其特征在于：在100K温度下,隔离氧化物的线性体积膨胀系数的绝对值大于10-4/K。依照本发明的STI结构及其制造方法，采用100K的温度下线性体积膨胀系数的绝对值大于10-4/K的隔离氧化物来填充STI，大幅度提高了STI的应力，并且避免了STI内电荷聚集,提高了器件的电学性能以及可靠性。 |
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