| 专利名称 | 一种阴极活性发射材料的制备方法 | 申请号 | CN201310009451.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103632902A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 阴生毅;彭真;王宇;李阳;王欣欣;郑强 | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种阴极活性发射材料的制备方法 至一种阴极活性发射材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明是一种阴极活性发射材料的制备方法，制备步骤如下：第一步：将碳酸钡锶钙盐置于镍舟中，再将镍舟推入氢炉进行加热分解，获得钡锶钙氧化物；第二步：用研钵分别地将钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪材料研成粉末，研磨时避免不同材料间产生交叉污染；第三步：按照钡锶钙氧化物35～50wt％∶411钡铝酸盐35～50wt％∶氧化钪为5～30wt％的比例，分别称取钡锶钙氧化物、411钡铝酸盐和氧化钪这三种物质的粉末，倒入同一研钵中，混合研磨约30分钟，得到活性发射材料；第四步：将制备好的活性发射材料倒入广口瓶中，封盖后置于低湿柜或干燥器中保存。本发明材料适用于各种规格的浸渍扩散阴极和覆膜浸渍扩散阴极，满足阴极批量生产的需要。 |
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