| 专利名称 | TM偏振的垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅 | 申请号 | CN201310566835.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103630960A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 周常河;李树斌 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | 专利有效期 | TM偏振的垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅 至TM偏振的垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于1064纳米波长的TM偏振的垂直入射石英1×2分束的双层错移光栅，由光栅结构参数相同的上光栅和下光栅相对错移构成，上光栅和下光栅紧密结合无间隔，该上光栅和下光栅的光栅周期为1326～1329纳米，脊宽为609～612纳米，偏移量为177～179纳米，总的光栅深度为2016～2018纳米，当TM偏振光垂直入射时，其透射光总的衍射效率可高于96%，分束器的均匀性优于3.10%。本发明TM偏振的垂直入射的石英双层错移光栅由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。 |
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