| 专利名称 | 一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法 | 申请号 | CN201310682779.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103627399A | 公开（授权）日 | 2014.03.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 孟健;武晓杰 | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/88(2006.01)I;C09K11/78(2006.01)I;C09K11/84(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法 至一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种半导体/荧光粉异质结构及其制备方法，包括以下步骤：在保护气体氛围下，将荧光粉和半导体混合后研磨，得到混合物，在保护气体或真空氛围下，将上述步骤得到的混合物在脉冲电流和压力的作用下，进行烧结得到半导体/荧光粉异质结构；所述荧光粉的摩尔数占荧光粉和半导体总摩尔数的百分比为10%～40%。本发明采用放电等离子体热压烧结方法制备半导体/荧光粉异质结构，本发明制备的半导体/荧光粉异质结构，利用半导体的能带特征，实现了稀土离子宽带激发的光转换。 |
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