专利名称 | 一种三维互连结构 | 申请号 | CN201320608900.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开(公告)号 | CN203466186U | 公开(授权)日 | 2014.03.05 | 申请(专利权)人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明(设计)人 | 李君;曹立强;戴风伟 | 主分类号 | H01L23/528(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/528(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I | 专利有效期 | 一种三维互连结构 至一种三维互连结构 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种三维互连结构,其半导体衬底包括相对的正面和背面;所述半导体衬底上具有贯穿正面和背面的梯形孔,所述梯形孔在所述半导体衬底正面的开口大于在所述半导体衬底背面的开口。通过在梯形孔斜面上方形成正面金属布线层,该正面金属布线层将衬底正面的正面金属布线层和衬底背面的背面金属布线层连接起来。在本实用新型提供的三维互连结构中,位于梯形孔斜面上的正面金属布线层相当于传输带,可以实现在半导体正面、梯形槽斜面以及半导体背面之间形成阻抗相同或相近的互连线,能够克服由于阻抗不匹配而引起的信号反射大的问题。 |
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