| 专利名称 | 一种低功耗相变存储器结构的制备方法 | 申请号 | CN201310415207.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103618045A | 公开（授权）日 | 2014.03.05 | 申请（专利权）人 | 上海新安纳电子科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 何敖东;宋志棠;刘波;王良咏;刘卫丽 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种低功耗相变存储器结构的制备方法 至一种低功耗相变存储器结构的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低功耗相变存储器结构的制备方法，在硅衬底上的第一电介质层内刻蚀填充圆柱形钨材料下电极；然后在第一电介质层上生长第二电介质层，并刻蚀形成纵向沟槽Ⅰ；在沟槽Ⅰ内生长导电薄膜层、第三电介质薄层和填满沟槽Ⅰ的第四电介质层；进而在填充体上生长第五电介质层，并刻蚀形成横向沟槽Ⅱ；在沟槽Ⅱ内生长相变材料层和第六电介质薄层；然后从沟槽Ⅱ底部垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成横向沟槽Ⅲ；在沟槽Ⅲ内生长填充第七电介质层；然后从填充体上垂直向下刻蚀直至第一电介质层，形成纵向的沟槽Ⅳ，并在沟槽Ⅳ内填充第八电介质层；继而在填充体上生长刻蚀两个横向金属条作为上电极；本方法具有降低器件的功耗、提升良率的特点。 |
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