| 专利名称 | 极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法 | 申请号 | CN201310534000.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103617309A | 公开（授权）日 | 2014.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 刘晓雷;李思坤;王向朝;步扬 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法 至极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱快速严格仿真方法，采用等效膜层法由上至下逐层计算膜层复反射系数得到整个多层膜的复反射系数，首先通过吸收层薄掩模模型计算掩模吸收层衍射谱，然后经过多层膜反射，最后再次通过吸收层薄掩模模型，得到极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱。本发明方法可以快速准确的仿真极紫外光刻无缺陷掩模衍射谱。 |
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