| 专利名称 | 一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法 | 申请号 | CN201310610979.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103617319A | 公开（授权）日 | 2014.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;刘桂明;常虎东 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | 专利有效期 | 一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法 至一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种III-V族MOSFET的小信号模型参数直接提取方法，属于微电子集成电路技术领域。该方法是通过焊盘和金属互联线去嵌，利用晶体管直流转移特性和冷态S参数确定提取晶体管寄生电阻时的合适偏置条件，然后在该偏置条件下去除沟道电阻影响，线性拟合提取寄生电阻参数，最后去嵌寄生电阻，利用III-V族MOSFET的小信号模型等效电路和曲线拟合来提取本征参数。本发明提供的小信号参数直接提取过程完全符合器件的物理意义，为集成电路技术应用提供必要的基础，同时对于新材料和新结构等其他类型器件的小信号模型参数提取具有很好的借鉴作用。 |
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