| 专利名称 | 一种单片原位形成图形衬底的方法 | 申请号 | CN201310629211.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103618036A | 公开（授权）日 | 2014.03.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋禹忻;王庶民 | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/20(2010.01)I | 专利有效期 | 一种单片原位形成图形衬底的方法 至一种单片原位形成图形衬底的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种单片原位形成图形衬底的方法，所述方法至少包括步骤：提供一衬底，在所述衬底上外延生长具有张应变的结构，并使所述张应变以形成裂缝的形式弛豫，所述裂缝相互交错形成衬底图形。本发明的单片原位形成衬底图形的方法不需对衬底进行预处理，从而防止引入外来杂质，降低了工艺难度，且操作工艺简单，易控制。另外，在本发明提供的衬底图形上生长的结构和器件与衬底晶格失配并且可以保持极低的晶体缺陷密度。 |
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