| 专利名称 | 一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构 | 申请号 | CN201320362250.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203456478U | 公开（授权）日 | 2014.02.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张云;陈鑫;孙艳;魏调兴;董文静;黄婵燕;张克难;戴宁 | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构 至一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本专利公开了一种基于重掺杂半导体红外波段近完全吸收的膜系结构，其结构为在衬底上沉积10-200组周期膜系，而周期膜系由重掺杂半导体薄膜层和氧化物薄膜层构成，此多层周期性膜系结构具有在红外特定波段吸收率达到99%的近完全吸收特性。本专利的优点是：工艺简单，成本低，偏正不敏感，角度不敏感，可控性好，协调性高，可大面积生长，纳米加工技术成熟；本专利制备的红外波段近完全吸收多层周期性膜系，在探测器，空间分辨等领域有广阔应用前景。 |
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