| 专利名称 | 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 | 申请号 | CN201310567092.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103606515A | 公开（授权）日 | 2014.02.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘新宇;许恒宇;汤益丹;蒋浩杰;赵玉印;申华军;白云;杨谦 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种宽禁带功率器件场板的制造方法 至一种宽禁带功率器件场板的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种宽禁带功率器件场板的制造方法，包括：在功率半导体外延片衬底表面制作介质钝化层；采用光刻技术在该介质钝化层表面形成刻蚀窗口；采用刻蚀或腐蚀技术对该介质钝化层开孔，形成具有特定角度的斜面；在该具有特定角度的斜面上制作场板金属。利用本发明，不需要多步干法刻蚀，采用湿法腐蚀的方法，可以防止干法刻蚀过程中对半导体器件表面造成的损伤，且可以形成满足电场均匀分布要求的具有一定倾斜角度的场板斜面。 |
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