| 专利名称 | 高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201310515806.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103606389A | 公开（授权）日 | 2014.02.26 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 郭晓阳;刘星元 | 主分类号 | H01B1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01B1/08(2006.01)I;B32B17/06(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I | 专利有效期 | 高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法 至高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜的制备方法。本发明采用无机半导体材料和金属材料的混合物作为介质层制备的介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜。通过改变无机半导体材料和金属材料的混合比例实现对介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜功函数的有效调节，解决了一种无机半导体材料作为介质层的多层结构透明导电薄膜功函数单一的问题，大大增加了介质层材料的选择范围。本发明的高导电性无机、金属掺杂多层结构透明导电薄膜具有较高的可见光透过率以及较低的面电阻；由于其表面功函数可调，因此可满足更多光电器件对透明电极的要求，更有利于介质/金属/介质多层结构透明导电薄膜在不同结构光电器件中的应用。 |
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