| 专利名称 | 一种相变存储单元及其制备方法 | 申请号 | CN201310541687.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103594621A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 程国胜;卫芬芬;孔涛;黄荣;张杰 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种相变存储单元及其制备方法 至一种相变存储单元及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种相变存储单元，包括：衬底、下电极金属层、第一绝缘层、加热材料层、第二绝缘层、下相变材料层、上相变材料层和上电极金属层，还包括阻挡层，所述阻挡层设置于所述下相变材料层和所述上相变材料层之间，所述阻挡层的材料为Nb2O5，本发明提供的相变存储单元，在两层相变材料中加入阻挡层，通过控制阻挡层材料的性质及厚度，减小了操作电流，尤其减小多晶向非晶转化时的操作电流，实现了1D1R高密度集成，减小器件的功耗。另外，本发明还提供了一种相变存储单元的制备方法。 |
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