| 专利名称 | 半导体器件 | 申请号 | CN201210293234.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103594506A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 马小龙;殷华湘;许淼;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/778(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/778(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件 至半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括衬底、衬底上的缓冲层、缓冲层上的反型掺杂隔离层、反型掺杂隔离层上的阻挡层、阻挡层上的沟道层、沟道层上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧的源漏区，其特征在于：缓冲层和/或阻挡层和/或反型掺杂隔离层为SiGe合金或者SiGeSn合金，沟道层为GeSn合金。依照本发明的半导体器件，采用SiGe/GeSn/SiGe的量子阱结构，限制载流子的输运，并且通过晶格失配引入应力，大大提高了载流子迁移率，从而提高了器件驱动能力以适应高速高频应用。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障