| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210296045.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103594373A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 秦长亮;殷华湘 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明改善侧墙掩模的半导体制造方法。在本发明中，形成了阻挡层和牺牲层，通过采用CMP工艺，将侧墙上部左右两侧差异较大的部分磨掉，留下侧墙底部近似矩形的部分，并以其为掩膜进行随后的侧墙掩模技术，这样可以尽可能的降低因侧墙形貌不对称而对后续刻蚀造成的不良后果；并且，可以以前一次侧墙掩膜技术形成的第一侧墙为虚设栅极而形成第二侧墙，并执行第二次的CMP工艺，可以获得具有良好形貌的第二侧墙掩膜，从而完成第二次的侧墙掩膜技术即QSPT。 |
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