利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统

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专利名称 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统 申请号 CN201310594552.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103592818A 公开(授权)日 2014.02.19 申请(专利权)人 中国科学院半导体研究所 发明(设计)人 査国伟;牛智川;倪海桥;尚向军;贺振宏 主分类号 G03F7/00(2006.01)I IPC主分类号 G03F7/00(2006.01)I 专利有效期 利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统 至利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 一种利用AFM的探针制备图形衬底的定位纳米压印系统,该系统包括:一与其他真空生长设备相兼容的超高真空室;一原子力显微镜,其固定在超高真空室的底部;一衬底托固定装置,其固定在原子力显微镜的上面,该衬底托固定装置的中间有一孔洞;一衬底托,其位于衬底托固定装置中间的孔洞上面;一机械臂,其固定在超高真空室的上面,用于衬底托的传递;一探针置换腔,其固定在超高真空室的侧壁上,用于原子力显微镜探针的更换;一监控系统,用于原子力显微镜制备压印图形的控制。本发明具有图形精度高(高于50nm)、外延损伤小和利于制备高集成度阵列光电子器件等特点。

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