氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途

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专利名称 氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 申请号 CN201210293691.X 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN103590106A 公开(授权)日 2014.02.19 申请(专利权)人 中国科学院新疆理化技术研究所 发明(设计)人 潘世烈;黄振军;田雪林 主分类号 C30B29/10(2006.01)I IPC主分类号 C30B29/10(2006.01)I;C30B9/12(2006.01)I 专利有效期 氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 至氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种氟硼酸锶非线性光学晶体的制备方法及用途,采用固相反应法合成化合物及助熔剂法生长晶体,所述的方法操作简单,成本低;所制备的晶体在空气中不潮解,机械性能好,不易碎裂,物化性质稳定,易加工,适合于制作非线性光学器件。通过该方法获得的氟硼酸锶非线性光学晶体倍频效应约为3倍KDP,在倍频转换、光参量振荡器等非线性光学晶体器件中可以得到广泛应用。

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