| 专利名称 | 氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法 | 申请号 | CN201310616508.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103594561A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 黄富强;刘玉峰;谢宜桉;李爱民;张雷;秦明升;朱小龙;王耀明 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/032(2006.01)I | 专利有效期 | 氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法 至氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及氧化物薄膜硫化硒化法制备铜锌锡硫硒太阳电池吸收层的方法，包括：按化学计量比称取铜盐、锌盐、和锡盐与选自乙醇、甲醇、异丙醇和丙酸中的至少一种的第一溶剂和包括乙二醇和丙二醇两种溶剂的第二溶剂混合配制澄清的前驱体溶液，在前驱体溶液中，铜元素的浓度为0.83～83mmol/L，锌和锡元素的浓度为0.42～42mmol/L，第一溶剂和第二溶剂的体积比为5∶（0.1～10）；通过旋涂法将前驱体溶液在衬底上旋涂成膜后于200～450℃加热以形成氧化物薄膜，重复旋涂步骤5～20次；将氧化物薄膜在含硫元素和硒元素的惰性气体气氛下于450～580℃进行硫化和硒化退火即获得Cu2ZnSn(S,Se)4太阳电池吸收层。 |
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