| 专利名称 | 具有花形微结构的导电聚合物柔性薄膜及其制备方法 | 申请号 | CN201310573830.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103588986A | 公开（授权）日 | 2014.02.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡秀杰;李宇鑫;周树云;杨丽;孙承华;严峻;肖时卓;陈萍 | 主分类号 | C08J7/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C08J7/00(2006.01)I;C08J7/06(2006.01)I;C08G61/12(2006.01)I;C08L65/00(2006.01)I | 专利有效期 | 具有花形微结构的导电聚合物柔性薄膜及其制备方法 至具有花形微结构的导电聚合物柔性薄膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及具有花形微结构的导电聚合物柔性薄膜及其制备方法。本发明的具有独特花形微结构的导电聚合物柔性薄膜是将含有三氯化铁的乙醇溶液旋涂到柔性基底的表面，在反应室内，于室温、常压条件下，与EDOT单体的气体进行气相聚合，控制反应时间，可得到不同厚度的由柔性基底与PEDOT柔性薄膜构成的高电导率、高透光率的具有花形微结构的PEDOT柔性薄膜，且PEDOT柔性薄膜表面的花形微结构呈凹陷状。所述的PEDOT柔性薄膜的透光率为85%～95%，总的电导率为810～1500S/cm，花形微结构的微区的电导率为1400～2700S/cm。所述的具有花形微结构的PEDOT柔性薄膜可应用于柔性光电器件中。 |
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