| 专利名称 | 紫外探测器 | 申请号 | CN201320421136.0 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203434179U | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 梅增霞;侯尧楠;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 专利有效期 | 紫外探测器 至紫外探测器 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型提供了一种紫外探测器。所述紫外探测器包括：ZnO衬底；布置在所述ZnO衬底上的BeO绝缘层；以及布置在所述BeO绝缘层上的MgZnO薄膜层或BeZnO薄膜层。本实用新型的紫外探测器采用ZnO材料作为衬底，MgZnO薄膜层或BeZnO薄膜层可在ZnO衬底上实现低应变的准同质外延生长，从而具备更高的结晶质量，因此非常适合做各种环境下的紫外乃至深紫外探测材料。 |
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