| 专利名称 | 一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构 | 申请号 | CN201320567736.8 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN203434149U | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 刘志权;郭敬东;祝清省;曹丽华 | 主分类号 | H01L23/488(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/488(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 专利有效期 | 一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构 至一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种以FeNi合金或FeNiP合金作为反应界面层的柱状凸点封装结构，属于半导体器件封装领域。该封装结构包括半导体衬底、导电金属柱、氧化层、反应界面层和焊料凸点；所述半导体衬底的上表面设有焊盘和钝化层，焊盘开口上方设有导电金属柱，其材质为铜或铜合金；所述导电金属柱的侧面裹有氧化层，导电金属柱的上方设有反应界面层，反应界面层的材料为铁镍合金或铁镍磷合金；所述反应界面层上方设有焊料凸点，所述焊料凸点的材料为锡或锡合金。本实用新型利用FeNi合金或FeNiP合金具有优良可焊性、界面层生长速度慢及其热膨胀系数可通过调整合金成分变化的特性，提高了互连体的力学、电学、热学性能及服役可靠性。 |
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