| 专利名称 | 带间级联激光器及其制备方法 | 申请号 | CN201310553805.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579904A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邢军亮;张宇;徐应强;王国伟;王娟;向伟;任正伟;牛智川 | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/343(2006.01)I | 专利有效期 | 带间级联激光器及其制备方法 至带间级联激光器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种带间级联激光器及其制备方法。该带间级联激光器在有源区InGaSb中插入InAs层，形成一空穴势垒，使得空穴波函数向两侧拓展，从而增加了空穴于电子波函数的交叠，电子空穴波函数在无外场作用下的交叠程度为15.407％，比传统的InAs/InGaSb/InAs?W型量子阱无外场波函数交叠提高了5.03％，从而提高了有源区增益。 |
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