| 专利名称 | 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 | 申请号 | CN201310585931.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579423A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谢海忠;张连;宋昌斌;姚然;薛斌;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 专利有效期 | 芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 至芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种芯片尺寸级晶圆发光二极管的制作方法，包括：在衬底的表面打两个通孔；在衬底的正反两面蒸度二氧化硅膜保护膜；将衬底放入浓硫酸和浓磷酸混合液中腐蚀，清洗；去掉衬底表面的二氧化硅膜保护膜；在衬底的一面依次生长N型掺杂层、多量子阱发光层、P型掺杂层和ITO层；在ITO层上一侧向下刻蚀，形成台面，该台面的中心处有一通孔；在台面的通孔的上面制作N型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔上制作P型电极；在台面另一侧的ITO层上的通孔的内壁制作绝缘层；在衬底背面及两个通孔内蒸度铬金引导层；在衬底背面旋转涂覆光刻胶并做出图形，腐蚀铬金引导层。本发明可以降低了发光二极管的封装成本，特别适合大尺寸功率型发光二极管的封装应用。 |
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