| 专利名称 | 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201210276327.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103579113A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王晓磊;王文武;杨红;马雪丽 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I | 专利有效期 | 具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法 至具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管的制造方法，互补场效应晶体管包括第一晶体管，第二晶体管，用于隔离第一晶体管和第二晶体管的隔离结构，其特征在于，包括：在衬底上沉积栅介质层；在栅介质层上沉积第一导电材料层；以及在第一导电材料层上对应于第一晶体管的位置处形成第二导电材料层，并在对应于第二晶体管的位置处形成第三导电材料层，其中，第二导电材料层具有低于第三导电材料层的第三功函数的第二功函数。此外，本发明还涉及一种具有双功函数金属栅的互补场效应晶体管。通过本发明的技术方案，可以通过简单的工艺来实现双功函数金属栅，从而实现了CMOS的大的饱和电流并降低了阈值电压。 |
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