| 专利名称 | 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 | 申请号 | CN201310589191.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103578960A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩林超;申华军;白云;汤益丹;许恒宇;王弋宇;杨谦;刘新宇 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 至一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种在SiC衬底背面制备欧姆接触的方法，该方法是在SiC衬底背面上依次蒸发金属Ni、Ti和Ni，并对衬底-金属层进行高温退火处理。金属Ni、Ti和Ni的厚度分别为20nm、20nm和100nm。本发明可应用于SiC?JBS肖特基二极管的背面欧姆接触与SiC?MOSFET的背面欧姆接触的制备，以及其它类似SiC器件的背面欧姆接触。本发明采用Ni/Ti/Ni混合金属组分，采用高温退火的方式得到致密而且接触面比较平滑的欧姆接触，减小界面处空洞的存在，并且提高与加厚金属的粘附性，欧姆接触电阻率达到与采用纯Ni金属制备欧姆接触相当的水平。 |
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