| 专利名称 | 半导体器件制造方法 | 申请号 | CN201210249429.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN103578944A | 公开（授权）日 | 2014.02.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘云飞;尹海洲 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体器件制造方法 至半导体器件制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本申请公开了一种制造半导体器件的方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成栅堆叠，栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；选择性刻蚀栅介质层的端部，从而形成空隙；以及在空隙中填充栅介质层的材料。 |
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